纳米器件超高分辨率光刻胶的开发

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摘要据日本《电子材料》报道,日本NEC和Tokuyama公司共同开发了高品质的用于纳米结构超高分辨率的电子束曝光光刻胶。这是一种直径为0.7nm的低分子量光刻胶,其特点主要有:可实现目前世界最高的8nm分辨率;由于其难以晶体化,将线边缘粗糙度降低至1nm;因分子形态容易发生变化,可提高其溶解性,是环保型的安全光刻材料。

作者章从福

出处《半导体信息》 2004年第4期36-36,共1页 Semiconductor Information

关键词光刻胶纳米器件超高分辨率分子形态粗糙度晶体化低分子量溶解性电子材料

分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]

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