三星成功开发8G闪存

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摘要据《参考消息》2004年9月22日报导,韩国三星电子宣布,该公司在一项关键技术上取得了突破,将使计算机及像MP3播放器这样的移动设备获得更大的存储空间和更快的处理速度。这家在全球居领先地位的半导体制造商说,它开发出了该行业的第一块采用60纳米工艺,容量8G的NAND闪存芯片。1纳米相当于十亿分之一米。

作者章从福

出处《半导体信息》 2004年第5期21-22,共2页 Semiconductor Information

关键词闪存芯片 NAND 存储空间半导体制造商韩国三星电子纳米工艺存储芯片《参考消息》三维图像声音文件

分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构] F416.63 [经济管理—产业经济]

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