瑞萨科技公司发布导通电阻极低的P沟道功率MOSFET

日前,瑞萨科技公司发布了HAT1125H、30V击穿电压P沟道功率MOSFET,它具有非常低的导通电阻(2.7mΩ),可用于笔记本电脑和类似产品的电源管理开关和锂离子电池充电/放电控制。与瑞萨科技以前的产品相比,HAT1125H的导通电阻大约减小了25%。