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碳纳管“或否”逻辑器件
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摘要
该发明专利是一种碳纳米管"或否"逻辑器件。该器件以Si作为衬底,在该衬底上设有SiO2氧化层,在绝缘层上设置碳纳米管、栅极和电极;所述栅极为两个独立的栅极。
作者
章从福
出处
《半导体信息》
2005年第1期19-20,共2页
Semiconductor Information
关键词
逻辑器件
氧化层
发明专利
表面相
表面氧化
金属层
专利号
分类号
TN79 [电子电信—电路与系统]
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