最新应变绝缘硅技术可提高电子迁移率80％

法国Soitec公司于2004年10月面向局部耗散(Partially-depleted)CMOS芯片推出世界首项不含Ge的应变绝缘硅(Strained SOI)技术。这种新工艺基于该公司Smart Cut SOI技术,使芯片设计的电子迁移率提高80%。该技术使40 nm应变硅层成为可能,整个晶圆的厚度和应变均匀。该公司已向合作伙伴提供选择样品,计划2005年上半年提供制造样品。