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SiC生长取得突破
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摘要
日本的研究人员声称他们将SiC晶体中的位错数量减小了2-3个数量级。这些SiC衬底将推动高功率SiC器件的开发,并降低由SiC器件所制造的电气设备的能耗。生长SiC晶体的一个最大问题是,这种材料没有液体形状。必须采用气相方法在一个籽晶上生长,这可能产生大量的继承性缺陷。
作者
陈裕权
出处
《半导体信息》
2005年第2期16-16,共1页
Semiconductor Information
关键词
籽晶
电气设备
SIC
陈裕
分类号
F416.6 [经济管理—产业经济]
TN304 [电子电信—物理电子学]
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