SiC生长取得突破

日本的研究人员声称他们将SiC晶体中的位错数量减小了2-3个数量级。这些SiC衬底将推动高功率SiC器件的开发,并降低由SiC器件所制造的电气设备的能耗。生长SiC晶体的一个最大问题是,这种材料没有液体形状。必须采用气相方法在一个籽晶上生长,这可能产生大量的继承性缺陷。