英飞凌打造全球尺寸最小的非易失性闪存单元

英飞凌的专家已经成功研制目前世界上最小的非易失性闪存单元,打破了半导体行业的记录。这种全新存储单元的电路宽度仅为20纳米,约为一根头发丝的直径的五千分之一。如果能够克服光刻等一切生产上的困难,这项新成果很可能在今后几年之内被用于制造容量高达32 Gbit的非易失性闪存芯片。