D类音频Direct FET MOSFET

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摘要 IR公司推出用于中功率D类音频放大器的Direct FET MOSFET IR6665, 器件的参数进行特别调整以改善音频性能如效率、总失真(THD)和功率密度。除了应用调整,IR的Direct FET封装技术由于降低引线电感也增强D类放大器电路的性能,这种电感的降低提升了开关性能,并降低了EMI噪音。

作者程文芳

出处《半导体信息》 2005年第2期33-33,共1页 Semiconductor Information

关键词功率密度开关性能放大器电路多媒体系统高端专业

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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9陈维友,胡礼中,刘式墉.一个简单光电集成回路的计算机辅助分析[J].Journal of Semiconductors,1990,11(6):453-458.
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