飞兆半导体公司推出N沟道MOSFET器件

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摘要飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出采用SO-8封装的80伏N沟道MOSFET器件FDS3572,其具备综合性能优势,能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7. 5 nC Miller电荷(Qgd),比相同RDS(on)级别的产品低38%。

作者章从福

出处《半导体信息》 2005年第2期33-34,共2页 Semiconductor Information

关键词飞兆半导体 N沟道MOSFET 开关电源设计同步整流反向恢复通信电源竞争产品耐用性能输出电压半桥

分类号 F416.63 [经济管理—产业经济] TN386 [电子电信—物理电子学]

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