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日本微电子制造商谈GaN基晶体管
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摘要
三家日本微电子制造商在无线基站用GaN基晶体管方面取得了新进展。位居该项技术开发前列的富士通公司称,他们已完善了一项低成本制造工艺,可使GaN HEMT进入商业用途。他们采用只用于制造LED的导电衬底来制造GaN HEMT,从而使得该器件的制造成本只有常规制造成本的三分之一。
作者
陈裕权
出处
《半导体信息》
2005年第3期27-28,共2页
Semiconductor Information
关键词
微电子制造
GAN
富士通公司
制造成本
商业用途
无线基站
技术开发
制造工艺
芯片尺寸
电气公司
分类号
F416.63 [经济管理—产业经济]
TN325 [电子电信—物理电子学]
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半导体信息
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