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日本微电子制造商谈GaN基晶体管

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摘要 三家日本微电子制造商在无线基站用GaN基晶体管方面取得了新进展。位居该项技术开发前列的富士通公司称,他们已完善了一项低成本制造工艺,可使GaN HEMT进入商业用途。他们采用只用于制造LED的导电衬底来制造GaN HEMT,从而使得该器件的制造成本只有常规制造成本的三分之一。
作者 陈裕权
出处 《半导体信息》 2005年第3期27-28,共2页 Semiconductor Information
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