期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

Fairchild推出80 V MOSFET器件

原文传递

导出

摘要飞兆半导体(Fairchild)日前宣布推出采用SO-8封装的80 VN沟道MOS- FET器件FDS3572,能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7.5 nC Miller电荷(Qgd)。

作者章从福

出处《半导体信息》 2005年第3期32-32,共1页 Semiconductor Information

关键词飞兆半导体开关电源设计同步整流 FAIRCHILD V MOSFET 反向恢复耐用性能降低损耗 Figure 品质因数

分类号 F416.63 [经济管理—产业经济] TN386 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1章从福.飞兆半导体公司推出N沟道MOSFET器件[J].半导体信息,2005,0(2):33-34.
2飞兆半导体的80VMOSFET提供38%更低Miller电荷及33%更低FOMDC/DC转换器电源设计带来更佳的系统效率[J].电子与电脑,2005(1):70-70.
3飞兆半导体推出80V N沟道MOSFET器件[J].电力电子,2005,3(1).
4Fairchild推出MOSFET器件FDS3572[J].电子测试（新电子）,2005(2):100-101.
5飞兆推出80VN沟道MOSFET器件[J].电源技术应用,2005,8(2).
680V N沟道MOSFET器件[J].电子设计技术 EDN CHINA,2005,12(2):109-109.
7飞兆先进MOSFET技术降低Miller电荷达35％～40％[J].集成电路应用,2004,21(7):42-42.
8飞兆95％产品均符合ROHS指令要求[J].电子工业专用设备,2005,34(11):21-22.
9Mark Thompson.商业模式的创新 Fairchild:从危机中找到方向[J].电子产品世界,2010,17(1):79-79.
10江兴.飞利浦发布业界首个大功率、全数字放大器半导体参考设计[J].半导体信息,2004,0(5):24-24.

半导体信息

2005年第3期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部