期刊文献+

美国DARPA加快GaN IC计划

原文传递
导出
摘要 美国军方已经着手实施一系列价值数千万美元的计划来加快GaN IC的研发速度。在DARPA的资助下,在这个开发毫米波和微波集成电路的GaN项目中,最大的获益者是Raytheon(与Cree合作,2700万美元)、Northrop
作者 孙再吉
出处 《半导体信息》 2005年第4期17-17,共1页 Semiconductor Information
  • 相关文献

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部