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美国DARPA加快GaN IC计划
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摘要
美国军方已经着手实施一系列价值数千万美元的计划来加快GaN IC的研发速度。在DARPA的资助下,在这个开发毫米波和微波集成电路的GaN项目中,最大的获益者是Raytheon(与Cree合作,2700万美元)、Northrop
作者
孙再吉
出处
《半导体信息》
2005年第4期17-17,共1页
Semiconductor Information
关键词
DARPA
GAN
IC
Northrop
获益者
微波集成电路
研发速度
Quint
功率附加效率
超宽带
总承包人
分类号
F416.63 [经济管理—产业经济]
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半导体信息
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