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半导体所研制出世界第一个短腔长单模应变补偿铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器

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摘要 半导体研究所材料科学重点实验室在量子级联激光器研究方面取得突破性进展。研制出世界上第一个短腔长单模应变补偿铟镓砷/铟铝砷(InGaAs/In- AlAs)量子级联激光器,波长7.8微米,阈值电流仅为80毫安。在磷化铟(InP)
作者 刘广荣
出处 《半导体信息》 2005年第4期23-23,共1页 Semiconductor Information
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