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富士通开发出低成本GaN HEMT

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摘要日本富士通研究所开发出可将GaN HEMT制造成本削减2/3的制造技术。 GaN HEMT可高压工作,其输出和效率优良,有望用作下一代移动电话基站中的高输出放大器。

作者陈裕权

出处《半导体信息》 2005年第5期5-5,共1页 Semiconductor Information

关键词日本富士通制造成本 GaN HEMT 功率附加效率制造技术半绝缘寄生电容最大输出功率技术制造电极片

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]

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半导体信息

2005年第5期

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