英特尔半导体新工艺电漏降千倍

据国外媒体报道,英特尔将对外公布一项晶体管新技术,即与该公司当前标准工艺相比,采用新型超低电流的纳米工艺的晶体管电流泄漏已降低1000倍左右。英特尔最近已将晶体管长度由原先的90纳米缩短为65纳米。