采用0．13 μm RF CMOS工艺的105 GHz VCO

UMC采用其0.13μm RF CMOS工艺技术制造出一种压控振荡器 (VCO),其基本工作频率达到创记录的105 GHz。该芯片是由佛罗里达大学的电气与计算机工程学院的硅微波集成电路和系统研究组设计开发的。过去最高记录基本工作频率的CMOS电(?)是采用90 nm CMOS工艺制造的103 GHz振荡器,它消耗4倍的功率。而(?)大学的这项最新成果为105 GHz 的VCO和一个调频范围为2.4 GHz的99 GHz VCO,采用的是0.13 μm制程工艺。