采用SiC技术的高功率宽带放大器

美国Aethercomm公司开发出采用SiC技术的一种新的高功率宽带放大器。SiC基放大器的性能比GaAs、LDMOS和VDMOS放大器的要好。SiC器件的最大结温为225℃,这就可使放大器基板温度达到850℃,同时不降低有源器件的平均无故障工作时间(MTBF)。SiC放大器的效率比其它常规放大器的要高,在倍频程带宽内,其效率比GaAs、LDMOS和VDMOS放大器平均要高出 10-15%。SiC放大器输出三阶截取点(OIP3)要高3-5 dB,线性化不提高。