用于紫外区的碳化硅雪崩光电二极管

美国研究者研制出一种基于碳化硅的雪崩光电二极管,对250-370 nm的紫外波段敏感。可用此管进行室温单光子计数。此装置基于4H-SiC芯片设计, 面积为160 μm×160μm,以此装置与一紫外发光二极管同时用,测得的光子计数率为4.5 MHz,量子效率在270 nm处为最高。由鲁特格大学、哥达德航天中心与联合碳化硅公司联合研制。