世界上首只输出功率超过100W的绝缘栅HEMT
出处
《半导体信息》
2006年第3期12-13,共2页
Semiconductor Information
-
1刘定建,苗宏.绝缘栅双极晶体管的原理与应用(下)[J].电子与仪表,1995(4):9-12.
-
2刘定建,苗宏.绝缘栅双极晶体管的原理与应用(上)[J].电子与仪表,1995(3):23-26.
-
3刘湘涛.MOS与CMOS半导体器件使用技巧[J].电工技术,1991(8):35-37.
-
4钱小工.进入新阶段的IGBT[J].半导体情报,1989(6):22-24.
-
5吴雄.绝缘栅双极晶体管(IGBT)及其应用[J].电子与自动化,1994,23(2):26-31. 被引量:3
-
6王晓军,袁丽华.功率电平能够达到精确[J].国际广播电视技术,1992,6(6):52-54.
-
7施勤.方位码及正北信号的校正[J].电子工程信息,1997(12):19-20.
-
8刘泽华.电视机泄漏电流测试装置的研制及原理分析[J].现代商检科技,1997,7(1):1-3.
-
9张开如,程斌.一种实用的IGBT驱动电路[J].电子与自动化,1995,24(5):42-43.
-
10刘云峰,陈国平.IGBT的过流保护策略[J].电子器件,1999,22(1):31-39. 被引量:7
;