赛灵思展出首款65nm FPGA
出处
《半导体信息》
2006年第3期32-32,共1页
Semiconductor Information
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1赵新建.用于GaAs数字IC的难熔栅自对准技术研究[J].固体电子学研究与进展,1991,11(2):100-106.
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2薛万里.一种新型硅化物生长机制—Er—Si（100）界面实验研究[J].江南半导体通讯,1991,19(4):47-53.
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3宋登元.激光诱导原子层外延技术的研究进展[J].半导体杂志,1989,14(4):34-38.
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4郝建华,赵兴荣,丘思畴,易新建.扩展长波红外探测的铱硅化物硅肖特基势垒的研究[J].红外与毫米波学报,1991,10(5):389-392. 被引量：2
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5鲍希茂,严海,茅保华.用硅化物作注入阻挡层形成浅结[J].Journal of Semiconductors,1993,14(6):368-374. 被引量：1
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6Cell.,GK,李为民.用高剂量离子注入法在硅中制备埋置的氧化物和硅化物[J].国外科技资料,1993(5):66-73.
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7李拂晓,林金庭,毛昆纯,余志平.GaAs自对准高温栅全离子注入运放差分输入电路研究[J].固体电子学研究与进展,1991,11(2):89-94.
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8柳百新,朱德华,卢红波.一种制备金属硅化物的离子束新技术[J].物理,1994,23(2):102-103.
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9高建峰,王茂森,谢中华,赵新建,李拂晓.GaAs高温栅全离子注入平面工艺及GaAs数字二分频器[J].固体电子学研究与进展,1992,12(2):109-116.
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10吴英,陈效建.自对准AlGaAs/GaAs微波异质结双极晶体管(HBT)[J].固体电子学研究与进展,1991,11(3):225-229.
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