蓝宝石上生长GaN外延层的一种改良技术
出处
《半导体信息》
2006年第4期28-29,共2页
Semiconductor Information
-
1侯鹏.OFDM在实际应用中的关键技术[J].现代电子技术,2003,26(2):67-69. 被引量:2
-
2吕云安,刘玉兰,杨伟,何梅芬.用于砷化镓功率MES FET器件的优质多层汽相外延材料的制备[J].半导体情报,1990(2):92-94.
-
3陈裕权.TDI开发AlNSiC和InN材料[J].半导体信息,2006,0(3):19-19.
-
4Marantz(马兰士)TT8001 LP唱盘[J].音响世界,2006(6):18-18.
-
5董学军.GSM-R直放站系统功能模块的改良技术[J].硅谷,2012,5(4):176-176.
-
6光助金属有机汽相外延生长ZnSe的氮掺杂[J].发光快报,1994,15(4):42-46.
-
7吴长树,张光华,宋炳文,张景韶.开管汽相外延法生长碲镉汞晶膜[J].红外技术,1991,13(6):15-17. 被引量:1
-
8徐永强,吕云安,严振斌,张藏珍.2英寸高均匀性GaAs多层外延材料[J].半导体情报,1994,31(6):5-7.
-
9陶长远,刘达清.低x值Hg_(1-x)Cd_xTe开管等温汽相外延[J].红外与激光技术,1991,20(2):30-34.
-
10陈桂章,尤民.宽带常γ线性电调管材料研究[J].固体电子学研究与进展,1993,13(1):60-63.
;