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MOXtronics制造出ZnO光电二极管与P型FET

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作者陈裕权

出处《半导体信息》 2006年第4期30-31,共2页 Semiconductor Information

关键词 FET MOXtronics ZNO 紫外探测器掺杂剂密苏里大学淀积暗电流源材料载流子迁移率

分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]

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2006年第4期

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