TI发布45nm芯片制造工艺细节
出处
《半导体信息》
2006年第5期18-19,共2页
Semiconductor Information
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1Intel发布0.09微米工艺细节明年投产[J].集成电路应用,2002,19(9):34-34.
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2Fred van Roosmalen,Caroline Beelen-Hendrikx.SiP技术在晶圆级生产中的应用[J].今日电子,2005(10):61-62.
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3TI发布45nm芯片制造工艺细节[J].微纳电子技术,2006,43(7):356-356.
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4首座450mm晶圆厂2017年投产[J].电子工业专用设备,2012,41(7):60-60.
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5台积电:最快2015年量产14nm、450mm大晶圆[J].集成电路通讯,2012,30(2):21-21.
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6台积电:2018年开贻使用450毫米晶圆技术[J].集成电路通讯,2012,30(4):23-23.
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7台积电大陆设厂半导体材料设备受益[J].电子工业专用设备,2015,0(12):61-62.
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8郑冬冬.英飞凌300 mm薄晶圆产出首款功率半导体晶片[J].半导体信息,2011,0(5):20-20.
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9中芯国际携手北京市政府 晶圆扩产[J].新材料产业,2012(6):84-85.
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10江安庆.跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法专利技术填补国内空白[J].半导体信息,2015(1):8-8.
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