Renesas推出WLAN用SiGe双波段MMIC
出处
《半导体信息》
2007年第1期31-32,共2页
Semiconductor Information
-
1李元雄,张敏.双栅MOSFET高频特性的实验研究[J].Journal of Semiconductors,1990,11(1):63-67.
-
2马莉.多级放大器高频特性的理论分析[J].河南教育学院学报(自然科学版),1999,8(3):25-26.
-
3瑞萨科技 MMICHA31010[J].中国电子商情,2006(6):73-73.
-
4田作为.射极跟随器的高频特性[J].江西师范大学学报(自然科学版),1997,21(1):53-56. 被引量:3
-
5瑞萨在汽车MCU中使用博世FlexRay IP[J].集成电路应用,2004,21(9):24-24.
-
6Central肖特基整流器采用表面HD DIP封装[J].电力电子,2006,4(3):72-72.
-
7高野祥司.应用液晶聚合物的挠性印制板[J].印制电路信息,2004(1):70-70.
-
8德州仪器推出集成D类放大器的新型低功耗音频编解码器[J].电子与电脑,2009(2):62-62.
-
9孙再吉.NTT研发SP8T RF CMOS-MEMS开关[J].半导体信息,2010,0(5):9-10.
-
10王亚军,颜胜美,陈樟.0.22THz宽带折叠波导慢波结构的设计[J].太赫兹科学与电子信息学报,2014,12(1):14-18. 被引量:3