Nikon 39nm图形技术取得进展 欲占193nm浸没式光刻半壁江山
出处
《半导体信息》
2007年第2期19-20,共2页
Semiconductor Information
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1本刊编辑部.193nm浸没式光刻技术发展现状及今后难点[J].电子工业专用设备,2006,35(4):1-2. 被引量：1
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2浸没式光刻技术[J].微纳电子技术,2004,41(8):13-13.
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3沈熙磊.Tower Jazz和美国DARPA合作开发高频HBT晶体管[J].半导体信息,2011,0(4):9-9.
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4Aaron Hand.高折射率浸没式光刻不一定是最后赢家[J].集成电路应用,2006,23(10):30-30.
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5Aaron Hand.超高数值孔径浸没式光刻面临的挑战:偏振效应[J].集成电路应用,2006,23(3):16-20.
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6《半导体国际》第三届光刻技术研讨会[J].集成电路应用,2007,24(7):20-20.
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7Laura Peters.清除浸没式光刻缺陷[J].集成电路应用,2007,24(7):24-24. 被引量：2
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8Aaron Hand.高折射率镜头推动浸没式光刻跨越32纳米[J].集成电路应用,2006,23(6):15-15. 被引量：2
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9王桂林.浅析光刻设备与技术的发展[J].知识经济,2009(11):94-94.
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10袁琼雁,王向朝.国际主流光刻机研发的最新进展[J].激光与光电子学进展,2007,44(1):57-64. 被引量：38
