最快晶体管的频率接近太赫兹
出处
《半导体信息》
2007年第3期10-11,共2页
Semiconductor Information
-
1一凡.在InP衬底上生长InAs量子点[J].电子材料快报,2000(1):7-7.
-
2秦贤满.电力半导体器件结温的计算和测试[J].电工技术杂志,1995,17(4):22-24. 被引量：5
-
3郭瑞春.硅高频大功率器件集电区纵向结构的研究[J].电子,1991(1):20-22.
-
4章其麟,任永一.MOCVD法在InP上生长GaAs及其在器件中的应用[J].上海半导体,1994(1):15-18.
-
5徐永宽.生长条件对InAs／GaAs量子点光致发光的影响[J].电子材料快报,1999(6):8-8.
-
6屠海令.半导体材料稀土掺杂的理论及应用[J].稀有金属,1996,20(1):39-44. 被引量：1
-
7王展.巧给手机充电[J].家用电器,2002(8):54-54.
-
8心雨.为电池充电加速[J].百科知识,2009(10):25-25.
-
9TCL H78挑战高清液晶电视“薄”极限[J].新财富,2007(11):121-121.
-
10一丁.等离子体处理对InP上氧化物生长和电性能的影响[J].等离子体应用技术快报,1994(11):14-15.
;
