WJ通讯公司推出射频识别硅半导体读出器芯片组及3G无线基础设施用功率放大器
出处
《半导体信息》
2007年第3期21-21,共1页
Semiconductor Information
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828V InGaP/GaAs HBT功放提供出色线性度和高效率[J].电子设计技术 EDN CHINA,2006,13(12):22-22.
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