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我研制出新型超导材料
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摘要
据《科技日报》2008年3月24日报道,以北京大学物理学院冯庆荣教授为首的研究组成功制备出了具有超高载流能力的干净极限MgB<sub>2</sub>（二硼化镁）薄膜样品,以及超高上临界场的碳掺杂MgB<sub>2</sub>薄膜。
作者
刘广荣
出处
《半导体信息》
2008年第2期28-29,共2页
Semiconductor Information
关键词
《科技日报》
大学物理
薄膜样品
上临
载流能力
冯庆
研究成果
临界电流密度
荣教授
极限值
分类号
F426.6 [经济管理—产业经济]
TM26 [一般工业技术—材料科学与工程]
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半导体信息
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