松下电器开发耐压10000V的GaN功率器件
出处
《半导体信息》
2008年第3期9-9,共1页
Semiconductor Information
-
1孙再吉.日本Panasonic公司开发9400V耐压的GaN功率器件[J].半导体信息,2009(3).
-
2姜大立,杜文,陈效思.二阶段易腐物品生产研究[J].西南交通大学学报,1998,33(4):430-435. 被引量：2
-
3孙再吉.松下电器开发高增益、低噪声GaN集成电路[J].半导体信息,2009(1).
-
4李斌.银川：成绩就是最好的诠释！[J].建材与装饰,2006(7):29-29.
-
5三江电器开发的电动机获国家重点新产品称号[J].泰州科技,2008,0(7):14-14.
-
6刘琰.校园网光纤传输损耗的主要因素及解决办法[J].科技创新导报,2008,5(8):114-114. 被引量：1
-
7陈建新.要保证农村能源建设的工程质量[J].农村能源,2001(2):5-6. 被引量：1
-
8卢静.功能安全标准ISO26262在汽车电子电器开发中的应用[J].电子世界,2016,0(20):124-125. 被引量：4
-
9孙再吉.富士电机和古河电气合作研发下一代功率器件[J].半导体信息,2009(6).
-
10熊祥玉.修订薄膜开关技术标准的必要性研究（2）[J].印制电路资讯,2003(6):78-81.
;
