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GaN HEMT微波多蒂尔功率放大器

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摘要 据《信学技报》(日)2009年109(210)期报道,日本电气通信大学采用串联负荷型GaN HEMT开发了微波多蒂尔功率放大器。1.9 GHz的放大器与原来的推挽式放大器相比,在输出功率24 dBm时,功率附加效率由15%提高到了31%;
作者 孙再吉
出处 《半导体信息》 2010年第3期14-14,共1页 Semiconductor Information
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