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GaN HEMT微波多蒂尔功率放大器
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摘要
据《信学技报》(日)2009年109(210)期报道,日本电气通信大学采用串联负荷型GaN HEMT开发了微波多蒂尔功率放大器。1.9 GHz的放大器与原来的推挽式放大器相比,在输出功率24 dBm时,功率附加效率由15%提高到了31%;
作者
孙再吉
出处
《半导体信息》
2010年第3期14-14,共1页
Semiconductor Information
关键词
GAN
HEMT
功率附加效率
波多
推挽式
蒂尔
输出功率
日本电气
栅长
分类号
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
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