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14 GHz带宽的63 GHz CMOS低噪声放大器

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摘要据《信学技报》(日)2009年109(133)期报道,日本东京大学藤岛实等人采用90 nm 1P8M CMOS工艺+1层WCSP(Wafer Level Chip Size Package)工艺开发了毫米波低噪声放大器。63 GHz下的最大微分增益(differential gain)

作者孙再吉

出处《半导体信息》 2010年第3期15-15,共1页 Semiconductor Information

关键词 GHZ CMOS 低噪声放大器微分增益工艺开发 WAFER 日本东京大学 PACKAGE 芯片尺寸低功耗性

分类号 TN722.3 [电子电信—电路与系统]

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半导体信息

2010年第3期

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