开发插入AlGaN层的InAlN/AlGaN/GaN FETs

据《信学技报》（日）2010年109-361期报道,日本NTT近日开发了插入AlGaN层的InAlN/AlGaN/GaN增强型场效应晶体管。In组分由0.245增加到0.325,二维电子气浓度由6.5×1012降低到1.3×1012。插入AlGaN层,In组分为0.245时,获得1570 cm2/V·s电子迁移率。通过形成选择再生长AlGaN接触层,层电阻由17000下降到584Ω/sq。这次制作的FET器件,最大跨导为60 mS/mm,最大漏电流为0.11 A/mm。In组分增加后,阈值电压由-3.2 V降为-0.2 V。