采用75 nm InP HEMT开发的20 Gb/s短脉冲发生器

据《信学技报》（日）2010年109-361期报道,日本富士通株式会社采用了为了降低寄生电容而使栅电极周边空洞化（Cavity）的栅长为75 nm的InP HEMT器件,成功开发了传输速度超过10 Gb/s的短脉冲发生器。InP HEMT器件的gm为2 S/mm,fT为390 GHz,fmax为490 GHz。测试结果,该发生器成功地生成了20Gb/s以上的随机性脉冲。这次开发的短脉冲发生器除应用于无线通信,还可应用于高频（超过100 GHz）检测仪器和超高分辨力雷达等各种宽带系统。