摘要
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本三菱电机高频光器件制作所开发了用于低电压、宽带CDMA的HBT功率放大器。HBT的主要特性为:DC电流增益100 typ,基极集电极耐压22 V,集电极发射极耐压15 V,基极集电极二极管等价直流阻抗6Ω(4 mA/100μm^2电流时)。该功率放大器在频率824 MHz、输出功率28 dBm时,功率增益27.7 dB,邻沟道泄漏功率抑制比-50.5 dBc,功率附加效率36%;在频率925 MHz时,功率增益27.5 dB,邻沟道泄漏功率抑制比-51.3 dBc,功率附加效率36%。其工作温度范围为-20~+85℃。
出处
《半导体信息》
2010年第4期17-17,共1页
Semiconductor Information