瑞萨电子推出新型功率MOSFET性能升40%
出处
《半导体信息》
2010年第5期21-22,共2页
Semiconductor Information
-
1张君和.小功率光晶闸管及其应用[J].半导体光电,1991,12(1):29-36.
-
2丁学文.怎样减小功率晶体管的开关损耗[J].电力电子技术,1990(1):8-12. 被引量:6
-
3IR全新同步整流集成电路IR1175[J].世界电子元器件,2000(4):62-62.
-
4谢勇.如何降低功率MOSFET的开关损耗[J].电工技术杂志,1995(4):29-31. 被引量:1
-
5许德伟,朱东起,黄立培,姜新建,卢海惟.电力半导体器件和装置的功率损耗研究[J].清华大学学报(自然科学版),2000,40(3):5-8. 被引量:22
-
6Vishay推出的下一代D系列MOSFET具有诸如超低导通电阻、超低栅极电荷等高性能指标[J].电子设计工程,2012,20(10):145-145.
-
7翁大丰.二极管在高频运用时的开关损耗及其改善措施[J].电气自动化,1991(6):45-46.
-
8结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件[J].今日电子,2010(9):67-67.
-
9章从福.新型高速同步N沟道MOSFET驱动器[J].半导体信息,2008,0(6):27-27.
-
10采用高压条带技术的MOSFET[J].今日电子,2012(6):68-68.
;