Vishay Siliconix推出新款N沟道功率MOSFET
出处
《半导体信息》
2010年第6期9-9,共1页
Semiconductor Information
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1郑冬冬.Vishay大幅扩充E系列650 V N沟道功率MOSFET家族[J].半导体信息,2013(3):12-14.
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2Vishay SiliconiX推出业内导通电阻最低的MOSFET器件[J].中国集成电路,2010,19(12):10-10.
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3SiP12108：同步降压稳压器[J].世界电子元器件,2014(2):29-29.
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4Si7157DP：P沟道MOSFET[J].世界电子元器件,2014(3):29-29.
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5Vishay Siliconix推出新型TrenchFET功率MOSFET[J].电子世界,2009(2):4-4.
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6Vishay Siliconix推出新品,扩充PowerPAIR双芯片不对称功率MOSFET家族[J].电子设计工程,2011,19(23):91-91.
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7Vishay Siliconix新型同步降压控制器IC可处理10A的电流[J].集成电路应用,2006,23(1):17-17.
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8Si7145DP：30VP沟道功率MOSFET器件[J].世界电子元器件,2009(8):42-42.
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9二极管泵浦调Q高能脉冲Nd：YAG激光器[J].光机电信息,2008(11):57-58.
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10Highwave发布新脉冲光纤激光器[J].光机电信息,2005(5):30-30.
