SiZ710DT:功率MOSFET

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摘要 Vishay推出采用PowerPAIR 6 mm×3.7 mm封装和TrenchFET GenⅢ技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET——SiZ710DT,新器件比其前一代器件的导通电阻减小43%,同时具有更高的最大电流并提高效率。SiZ710DT在一个小尺寸封装中整合了低边和高边MOSFET,导通电阻低。SiZ710DT的低边Channel 2

作者江兴

出处《半导体信息》 2011年第1期4-4,共1页 Semiconductor Information

关键词导通电阻非对称结构优化空间最大电流 SiZ710DT

分类号 F416.63 [经济管理—产业经济]

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