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辉钼有望代替硅成为新一代半导体材料

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摘要据美国物理学家组织网1月31日报道,近日,瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)纳米电子学与结构(LANES)实验室称,用一种名为辉钼(MoS2)的单分子层材料制造半导体,或用来制造更小、能效更高的电子芯片,在下一代纳米电子设备领域,将比传统的硅材料或石墨烯更有优势。

作者郑冬冬

出处《半导体信息》 2011年第2期19-20,共2页 Semiconductor Information

关键词半导体材料美国物理学家纳米电子学电子芯片石墨烯设备领域单分子层纳米带纳米技术瑞士洛桑

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]

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2011年第2期

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