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半导体所制成高温连续激射2微米波段锑化物量子阱激光器取得进展

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摘要近日,中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延(MBE)课题组合作,采用分子束外延技术生长的InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱激光器,实现了高工作温度(T=80℃)连续激射,激射波长2μm出光功率63.7 mW,达到国内领先水平。中红外2—3.

作者郑冬冬

出处《半导体信息》 2011年第3期15-16,共2页 Semiconductor Information

关键词激射锑化物量子阱分子束外延技术中红外工作温度超晶格光功率分子束外延生长国家重点实验室

分类号 TN248 [电子电信—物理电子学]

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2011年第3期

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