瑞萨电子计划上市SiC功率半导体

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摘要全球首屈一指的半导体解决方案厂商瑞萨电子(Renesas Electronics)计划上市SiC(碳化硅)功率半导体。从2011年3月底开始样品供货耐压为600 V的SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)"RJS6005TDPP"。瑞萨计划从2011年10月开始少量量产,2012年3月以后以10万个/月的规模量产。

作者吴琪乐

出处《半导体信息》 2011年第4期4-5,共2页 Semiconductor Information

关键词功率半导体 SIC 工作温度日立制作所驱动电压性能指标工作效率高端机型产品化三菱电机

分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学] F416.63 [经济管理—产业经济]

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半导体信息

2011年第4期

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