英飞凌展出配备SiC JFET的功率模块

德国英飞凌科技在东京举行的展会"智能电网展2011&新一代汽车产业展2011"(举办期间:2011年6月15日～17日)上,展出了各种功率模块。比如,配备SiC JFET的产品和延长了功率循环寿命的产品等。功率模块将耐压为1200V、导通电阻为100mΩ的SiC JFET配备于3枚芯片上。外形尺寸约为2～3mm见方。每枚芯片的电流容量为10A。由于SiCJFET常开工作,因此为实现常开化进行了多段连接。