IR推出双PQFN2×2和双PQFN3.3×3.3功率MOSFETs

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摘要国际整流器公司(简称IR)扩展其PQFN封装系列,推出PQFN 2mm×2mm和PQFN 3.3mm×3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFETMOSFET,为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案,这些应用包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、直流电动机、无线感应充电器、

作者江兴

出处《半导体信息》 2011年第4期7-8,共2页 Semiconductor Information

关键词国际整流器平板电脑 IR PQFN2 PQFN3.3 销售副总裁导通电阻笔记本电脑电子产品表面贴装技术

分类号 F416.6 [经济管理—产业经济] TN386.1 [电子电信—物理电子学]

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