IMEC利用CMOS工艺制程GaN MISHEMTs

导出

摘要欧洲微电子研究中心(Interuniversity Microelectronics Cent。即IMEC)与其合作伙伴共同开发了在200mm硅芯片上生长GaN/AlGaN的技术。借助这项新技术,GaN MISHEMTs(metal-insulator semiconductor highelectron mobility transistors,无金属高电子迁移率晶体管)能够严格按照CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)

作者吴琪乐

出处《半导体信息》 2011年第4期8-8,共1页 Semiconductor Information

关键词 ALGAN 硅芯片工艺制程 COMPLEMENTARY CMOS工艺 GAN MISHEMTs IMEC INSULATOR 研究中心兼容问题

分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]

引文网络
相关文献

1英飞凌携手IMEC合作开发汽车79GHz CMOS雷达传感器芯片[J].汽车零部件,2016(6):31-31.
2研究人员开发出整合Ⅲ-V族与矽材料的3DFinFET半导体[J].电子产品可靠性与环境试验,2013,31(A01):226-226.
3英飞凌携手IMEC合作开发汽车79GHz CMOS雷达传感器芯片[J].汽车制造业,2016,0(12):9-9.
4研究人员开发出整合III—V族与矽材料的3DFinFET半导体[J].电子世界,2013(22):4-4.
5马晓华,于惠游,全思,杨丽媛,潘才渊,杨凌,王昊,张进成,郝跃.Enhancement-mode AlGaN/GaN high electronic mobility transistors with thin barrier[J].Chinese Physics B,2011,20(2):453-457.
6杨凌,胡贵州,郝跃,马晓华,全思,杨丽媛,姜守高.Electric-stress reliability and current collapse of different thickness SiN_x passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistors[J].Chinese Physics B,2010,19(4):369-374.
7吴静.DARPA建立研究中心开发新一代半导体技术[J].高性能计算技术,2013,0(1):72-72.
8古征元.比利时IMEC研究中心的知识产权保护模式[J].全球科技经济瞭望,1998,13(11):55-55. 被引量：3
9FENG Qian,WANG Qiang,XING Tao,LI Qian,HAO Yue.Electrical characteristics of AlGaN/GaN metal-insulatorsemiconductor high electron mobility transistor using La_2O_3 gate dielectric[J].Chinese Science Bulletin,2013,58(7):629-632.
10XU Shaokun,WEI Xizhang,LI Xiang,GUO Guirong.Parameter Estimation and Performance Analysis of Coherent Polarization Attributed Scattering Center Model[J].Chinese Journal of Electronics,2013,22(1):195-201. 被引量：9

半导体信息

2011年第4期

浏览历史

内容加载中请稍等...

IMEC利用CMOS工艺制程GaN MISHEMTs

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史