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InGaN-on-Si长波LED设备首次被证实
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摘要
位于美国亚利桑那州凤凰城的玫瑰街实验室是一家产品和服务供应商,为私人所有,服务于可再生能源和半导体市场。它宣称第一个证实了基于硅片可以生产长波LED设备,其相比于传统蓝宝石或碳化硅衬底具有很大的成本优势。与紫外线和蓝光LED相比,由于量子效率的下降。
作者
沈熙磊
出处
《半导体信息》
2011年第4期26-26,共1页
Semiconductor Information
关键词
半导体市场
InGaN-on-Si
LED
亚利桑那州
量子效率
硅衬底
可再生能源
半导体功率器件
姐妹公司
多色光
分类号
F416.6 [经济管理—产业经济]
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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半导体信息
2011年 第4期
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