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三星电子在全球率先量产“超高速NAND”
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摘要
三星电子继2009年全球率先量产利用133 Mbp传输速度启动的30纳米级32 Gb Toggle DDR 1.0 MLC NAND Flash之后,今年再次于全球率先量产400Mbps传输速度的64 Gb Toggle DDR 2.0 MLC NAND Flash新品。
作者
吴琪乐
出处
《半导体信息》
2011年第4期39-40,共2页
Semiconductor Information
关键词
NAND
三星电子
子继
成本竞争力
生产效率
产品比重
生产厂商
市场调查
分类号
F416.6 [经济管理—产业经济]
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半导体信息
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