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三星电子在全球率先量产“超高速NAND”

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摘要 三星电子继2009年全球率先量产利用133 Mbp传输速度启动的30纳米级32 Gb Toggle DDR 1.0 MLC NAND Flash之后,今年再次于全球率先量产400Mbps传输速度的64 Gb Toggle DDR 2.0 MLC NAND Flash新品。
作者 吴琪乐
出处 《半导体信息》 2011年第4期39-40,共2页 Semiconductor Information
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