摘要
器件在4.5 V下导通电阻仅为34 mΩ,具有1.6 mm×1.6 mm的占位面积和不到0.8 mm的高度,可在1.2 V的电压下导通,适用于更低电压的手持式电子产品。2011年8月17日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布占位面积为1.6mm×1.6 mm、高度小于0.8 mm的新款8 V P沟道TrenchFET<sup>R</sup>功率MOS-
出处
《半导体信息》
2011年第5期21-21,共1页
Semiconductor Information
