基于硅通孔技术的3D IC

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摘要基于硅通孔(TSV,Through Silicon Via)技术的3D IC是一种系统级架构的新方法,内部含有多个平面器件层的叠层,并经由穿透硅通孔在垂直方向实现相互连接。采用这种方式可以大幅缩小芯片尺寸,提高芯片的晶体管密度,改善层间电气互联性能,提升芯片运行速度,降低芯片的功耗。在设计阶段导入3D

作者吴琪乐

出处《半导体信息》 2011年第5期22-23,共2页 Semiconductor Information

关键词通孔芯片尺寸 IC 互联性运行速度叠层设计阶段设计复杂度芯片面积芯片功能

分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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4剑琳.捍卫摩尔定律[J].科技新时代,2008(4):51-51.
5Sally Cole Johnson.2009年晶圆级封装趋势[J].集成电路应用,2009(3):38-38.
6祝竹.基于硅通孔技术的三维集成电路设计与分析[J].电子技术与软件工程,2014(18):153-153. 被引量：1
7Ben,Scott,Karen,Andy,Robert,Erik.3D TSV测试的挑战和潜在解决方案(英文)[J].电子工业专用设备,2013(1):12-20.
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9邓小军,曹正州.应用于三维封装中的硅通孔技术[J].电子与封装,2012,12(9):18-23. 被引量：4
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