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美研制出非硅基全门三维晶体管

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摘要 据美国物理学家组织网12月6日报道,美国普渡大学和哈佛大学的科学家使用Ⅲ-Ⅴ族化合物砷化镓铟代替硅,研制出全球首款全门三维晶体管,可用于开发出运行速度更快、更高效的集成电路和更轻便、耗电更少的手提电脑。最新研究已在12月5日至7日于华盛顿举行的国际电子设备大会上宣读。科学家们使用所谓的自上而下的方法制造出了最新设备。该研究的领导者之一、普渡大学电子和计算机工程学教授叶培德表示,这一方法同传统制造过程兼容,与工业采用的精确蚀刻和定位晶体管内组件的方法类似,因此有望被工业界采用。
作者 沈熙磊
出处 《半导体信息》 2011年第6期13-14,共2页 Semiconductor Information

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