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华虹已经量产SiGe IGBT器件

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摘要 RF方面,SiGe BiCMOS工艺有何进展,能否真正取代GaAs工艺。目前,SiGe BiCMOS的工艺技术己经开发完成,正在客户试用阶段,2012年进入量产。从应用状况来看,SiGe BiCMOS和GaAs大部分在不同的市场应用范畴,但是随着各自技术的开发和延伸,其应用领域开始出现一定的重叠。
作者 吴琪乐
出处 《半导体信息》 2012年第2期12-12,共1页 Semiconductor Information
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