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华虹已经量产SiGe IGBT器件
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摘要
RF方面,SiGe BiCMOS工艺有何进展,能否真正取代GaAs工艺。目前,SiGe BiCMOS的工艺技术己经开发完成,正在客户试用阶段,2012年进入量产。从应用状况来看,SiGe BiCMOS和GaAs大部分在不同的市场应用范畴,但是随着各自技术的开发和延伸,其应用领域开始出现一定的重叠。
作者
吴琪乐
出处
《半导体信息》
2012年第2期12-12,共1页
Semiconductor Information
关键词
SIGE
应用范畴
试用阶段
应用领域
供应链问题
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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