Vishay Siliconix推出新款P沟道30 V芯片级MOSFET

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摘要日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的P沟道30 V器件——Si8497DB和Si8487DB,扩充其MI-CRO FOOT TrenchFET GenⅢ功率MOSFET家族。新的Si8497DB是业内首款采用小巧的1mm×1.5 mm外形尺寸的30 V芯片级MOSFET。

作者江兴

出处《半导体信息》 2012年第2期13-13,共1页 Semiconductor Information

关键词 P沟道30 V 芯片级导通电阻首款最大高度欠压锁定电池管理供货周期加工工艺移动计算

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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